| Número de peza : | BUK9E4R9-60E,127 |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | NXP Semiconductors / Freescale |
| Descrición : | MOSFET N-CH 60V 100A I2PAK |
| Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
| Cantidade dispoñible | 4946 pcs |
| Follas de cálculo | |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete de dispositivos de provedor | I2PAK |
| Serie | TrenchMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.5 mOhm @ 25A, 10V |
| Disipación de potencia (máx.) | 234W (Tc) |
| Empaquetado | Tube |
| Paquete / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Outros nomes | 568-9876-5 934066657127 BUK9E4R960E127 |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Through Hole |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 9710pF @ 25V |
| Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs | 65nC @ 5V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Función FET | - |
| Voltaxe da unidade (máx Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Descrición detallada | N-Channel 60V 100A (Tc) 234W (Tc) Through Hole I2PAK |
| Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C | 100A (Tc) |
NXP Semiconductors / Freescale
