| Número de peza : | DGD2103AS8-13 |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | Diodes Incorporated |
| Descrición : | IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO |
| Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
| Cantidade dispoñible | 56323 pcs |
| Follas de cálculo | DGD2103AS8-13.pdf |
| Tensión - Subministración | 10 V ~ 20 V |
| Paquete de dispositivos de provedor | 8-SO |
| Serie | - |
| Tempo de subida / caída (tip) | 100ns, 50ns |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Paquete / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Outros nomes | DGD2103AS8-13DICT |
| Temperatura de operación | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Número de controladores | 2 |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tensión lóxica - VIL, VIH | 0.8V, 2.5V |
| Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de entrada | Non-Inverting |
| Tensión de lado alta - Max (Bootstrap) | 600V |
| Tipo de porta | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Configuración dirixida | Half-Bridge |
| Descrición detallada | Half-Bridge Gate Driver IC Non-Inverting 8-SO |
| Actual: saída máxima (fonte, sumidoiro) | 290mA, 600mA |
| Tipo de canle | Independent |
