Número de peza : | DTD143ECT216 |
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Fabricante / Marca : | LAPIS Semiconductor |
Descrición : | TRANS PREBIAS NPN 200MW SST3 |
Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
Cantidade dispoñible | 398622 pcs |
Follas de cálculo | DTD143ECT216.pdf |
Voltaxe - Recollida de emisores de colectores (máx.) | 50V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Paquete de dispositivos de provedor | SST3 |
Serie | - |
Resistor - Base de emisión (R2) | 4.7 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Potencia - Máx | 200mW |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Paquete / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Tipo de montaxe | Surface Mount |
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frecuencia - Transición | 200MHz |
Descrición detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 500mA 200MHz 200mW Surface Mount SST3 |
DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 47 @ 50mA, 5V |
Actual: recorte do recolector (máximo) | 500nA |
Actual - Colector (Ic) (máximo) | 500mA |
Número de parte base | DTD143 |