| Número de peza : | EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | Micron Technology |
| Descrición : | IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA |
| Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
| Cantidade dispoñible | 4177 pcs |
| Follas de cálculo | EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR.pdf |
| Tempo do ciclo de escritura: palabra, páxina | - |
| Tensión - Subministración | 1.14 V ~ 1.95 V |
| Tecnoloxía | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
| Paquete de dispositivos de provedor | 134-VFBGA (10x11.5) |
| Serie | - |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / caso | 134-VFBGA |
| Outros nomes | EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR-ND EDB1316BDBH-1DAUT-F-RTR |
| Temperatura de operación | -40°C ~ 125°C (TC) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Tamaño da memoria | 1Gb (64M x 16) |
| Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | DRAM |
| Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrición detallada | SDRAM - Mobile LPDDR2 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 533MHz 134-VFBGA (10x11.5) |
| Frecuencia de reloxo | 533MHz |
Micron Technology
