Número de peza : |
EMA3T2R |
Fabricante / Marca : |
LAPIS Semiconductor |
Descrición : |
TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W |
Estado de RoHs : |
Libre de plomo / RoHS |
Cantidade dispoñible |
513952 pcs |
Follas de cálculo |
1.EMA3T2R.pdf2.EMA3T2R.pdf |
Voltaxe - Recollida de emisores de colectores (máx.) |
50V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 250µA, 5mA |
Tipo de transistor |
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Paquete de dispositivos de provedor |
EMT5 |
Serie |
- |
Resistor - Base de emisión (R2) |
- |
Resistor - Base (R1) |
4.7 kOhms |
Potencia - Máx |
150mW |
Empaquetado |
Tape & Reel (TR) |
Paquete / caso |
6-SMD (5 Leads), Flat Lead |
Tipo de montaxe |
Surface Mount |
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) |
1 (Unlimited) |
Tempo de entrega estándar do fabricante |
10 Weeks |
Estado libre de chumbo / estado RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
Frecuencia - Transición |
250MHz |
Descrición detallada |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT5 |
DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
100 @ 1mA, 5V |
Actual: recorte do recolector (máximo) |
500nA (ICBO) |
Actual - Colector (Ic) (máximo) |
100mA |