Número de peza : | EMG3T2R |
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Fabricante / Marca : | LAPIS Semiconductor |
Descrición : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT3 |
Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
Cantidade dispoñible | 582311 pcs |
Follas de cálculo | 1.EMG3T2R.pdf2.EMG3T2R.pdf |
Voltaxe - Recollida de emisores de colectores (máx.) | 50V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 250µA, 5mA |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Paquete de dispositivos de provedor | EMT3 |
Serie | - |
Resistor - Base de emisión (R2) | - |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Potencia - Máx | 150mW |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Paquete / caso | SC-75, SOT-416 |
Outros nomes | EMG3T2R-ND EMG3T2RTR |
Tipo de montaxe | Surface Mount |
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega estándar do fabricante | 10 Weeks |
Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Descrición detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount EMT3 |
DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA, 5V |
Actual: recorte do recolector (máximo) | 500nA (ICBO) |
Actual - Colector (Ic) (máximo) | 100mA |
Número de parte base | *MG3 |