| Número de peza : | EPC2103 |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | EPC |
| Descrición : | TRANS GAN SYMMETRICAL HALF BRIDG |
| Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
| Cantidade dispoñible | 5561 pcs |
| Follas de cálculo | EPC2103.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 7mA |
| Paquete de dispositivos de provedor | Die |
| Serie | eGaN® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 20A, 5V |
| Potencia - Máx | - |
| Empaquetado | Cut Tape (CT) |
| Paquete / caso | Die |
| Outros nomes | 917-1183-1 |
| Temperatura de operación | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega estándar do fabricante | 14 Weeks |
| Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 760pF @ 40V |
| Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs | 6.5nC @ 5V |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Función FET | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Descrición detallada | Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 28A Surface Mount Die |
| Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C | 28A |
EPC
