Número de peza : |
EPC2107ENGRT |
Fabricante / Marca : |
EPC |
Descrición : |
TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE |
Estado de RoHs : |
Libre de plomo / RoHS |
Cantidade dispoñible |
33224 pcs |
Follas de cálculo |
EPC2107ENGRT.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id |
2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA |
Paquete de dispositivos de provedor |
9-BGA (1.35x1.35) |
Serie |
eGaN® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
320 mOhm @ 2A, 5V, 3.3 Ohm @ 2A, 5V |
Potencia - Máx |
- |
Empaquetado |
Tape & Reel (TR) |
Paquete / caso |
9-VFBGA |
Outros nomes |
917-EPC2107ENGRTR |
Temperatura de operación |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaxe |
Surface Mount |
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) |
1 (Unlimited) |
Estado libre de chumbo / estado RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
16pF @ 50V, 7pF @ 50V |
Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs |
0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V |
Tipo FET |
3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) |
Función FET |
GaNFET (Gallium Nitride) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
100V |
Descrición detallada |
Mosfet Array 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) 100V 1.7A, 500mA Surface Mount 9-BGA (1.35x1.35) |
Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C |
1.7A, 500mA |