| Número de peza : | FDME820NZT |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrición : | MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6 |
| Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
| Cantidade dispoñible | 88624 pcs |
| Follas de cálculo | FDME820NZT.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete de dispositivos de provedor | MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| Serie | PowerTrench® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 9A, 4.5V |
| Disipación de potencia (máx.) | 2.1W (Ta) |
| Empaquetado | Original-Reel® |
| Paquete / caso | 6-PowerUFDFN |
| Outros nomes | FDME820NZTDKR |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega estándar do fabricante | 39 Weeks |
| Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 865pF @ 10V |
| Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs | 8.5nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Función FET | - |
| Voltaxe da unidade (máx Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Descrición detallada | N-Channel 20V 9A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin |
| Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C | 9A (Ta) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
