Número de peza : | FJN4313RTA |
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Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Descrición : | TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3 |
Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
Cantidade dispoñible | 4194 pcs |
Follas de cálculo | FJN4313RTA.pdf |
Voltaxe - Recollida de emisores de colectores (máx.) | 50V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Paquete de dispositivos de provedor | TO-92-3 |
Serie | - |
Resistor - Base de emisión (R2) | 47 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Potencia - Máx | 300mW |
Empaquetado | Tape & Box (TB) |
Paquete / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Tipo de montaxe | Through Hole |
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frecuencia - Transición | 200MHz |
Descrición detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92-3 |
DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 68 @ 5mA, 5V |
Actual: recorte do recolector (máximo) | 100nA (ICBO) |
Actual - Colector (Ic) (máximo) | 100mA |