Número de peza : | FQP50N06L |
---|---|
Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Descrición : | MOSFET N-CH 60V 52.4A TO-220 |
Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
Cantidade dispoñible | 35757 pcs |
Follas de cálculo | 1.FQP50N06L.pdf2.FQP50N06L.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete de dispositivos de provedor | TO-220AB |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21 mOhm @ 26.2A, 10V |
Disipación de potencia (máx.) | 121W (Tc) |
Empaquetado | Tube |
Paquete / caso | TO-220-3 |
Temperatura de operación | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaxe | Through Hole |
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega estándar do fabricante | 6 Weeks |
Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1630pF @ 25V |
Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs | 32nC @ 5V |
Tipo FET | N-Channel |
Función FET | - |
Voltaxe da unidade (máx Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Descrición detallada | N-Channel 60V 52.4A (Tc) 121W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C | 52.4A (Tc) |