| Número de peza : | HUF76429S3ST |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrición : | MOSFET N-CH 60V 47A D2PAK |
| Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
| Cantidade dispoñible | 27556 pcs |
| Follas de cálculo | HUF76429S3ST.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete de dispositivos de provedor | D²PAK (TO-263AB) |
| Serie | UltraFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 47A, 10V |
| Disipación de potencia (máx.) | 110W (Tc) |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Outros nomes | HUF76429S3ST-ND HUF76429S3STTR |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega estándar do fabricante | 13 Weeks |
| Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1480pF @ 25V |
| Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs | 46nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Función FET | - |
| Voltaxe da unidade (máx Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Descrición detallada | N-Channel 60V 47A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
| Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C | 47A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
