| Número de peza : |
IDT71V25761YSA200BQI |
| Fabricante / Marca : |
IDT (Integrated Device Technology) |
| Descrición : |
IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA |
| Estado de RoHs : |
Contén chumbo / RoHS non conforme |
| Cantidade dispoñible |
4477 pcs |
| Follas de cálculo |
1.IDT71V25761YSA200BQI.pdf2.IDT71V25761YSA200BQI.pdf |
| Tempo do ciclo de escritura: palabra, páxina |
- |
| Tensión - Subministración |
3.135 V ~ 3.465 V |
| Tecnoloxía |
SRAM - Synchronous |
| Paquete de dispositivos de provedor |
165-CABGA (13x15) |
| Serie |
- |
| Empaquetado |
Tray |
| Paquete / caso |
165-TBGA |
| Outros nomes |
71V25761YSA200BQI |
| Temperatura de operación |
-40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaxe |
Surface Mount |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) |
3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria |
Volatile |
| Tamaño da memoria |
4.5Mb (128K x 36) |
| Interfaz de memoria |
Parallel |
| Formato de memoria |
SRAM |
| Estado libre de chumbo / estado RoHS |
Contains lead / RoHS non-compliant |
| Descrición detallada |
SRAM - Synchronous Memory IC 4.5Mb (128K x 36) Parallel 200MHz 5ns 165-CABGA (13x15) |
| Frecuencia de reloxo |
200MHz |
| Número de parte base |
IDT71V25761 |
| Tempo de acceso |
5ns |
IDT (Integrated Device Technology)
