Número de peza : |
IRF3315LPBF |
Fabricante / Marca : |
International Rectifier (Infineon Technologies) |
Descrición : |
MOSFET N-CH 150V 21A TO-262 |
Estado de RoHs : |
Libre de plomo / RoHS |
Cantidade dispoñible |
19578 pcs |
Follas de cálculo |
IRF3315LPBF.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id |
4V @ 250µA |
Vgs (Max) |
±20V |
Tecnoloxía |
MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete de dispositivos de provedor |
TO-262 |
Serie |
HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
82 mOhm @ 12A, 10V |
Disipación de potencia (máx.) |
3.8W (Ta), 94W (Tc) |
Empaquetado |
Tube |
Paquete / caso |
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
Outros nomes |
*IRF3315LPBF |
Temperatura de operación |
-55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaxe |
Through Hole |
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) |
1 (Unlimited) |
Estado libre de chumbo / estado RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds |
1300pF @ 25V |
Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs |
95nC @ 10V |
Tipo FET |
N-Channel |
Función FET |
- |
Voltaxe da unidade (máx Rds On, Min Rds On) |
10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
150V |
Descrición detallada |
N-Channel 150V 21A (Tc) 3.8W (Ta), 94W (Tc) Through Hole TO-262 |
Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C |
21A (Tc) |