| Número de peza : | IRF6611TRPBF |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | International Rectifier (Infineon Technologies) |
| Descrición : | MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET |
| Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
| Cantidade dispoñible | 4019 pcs |
| Follas de cálculo | IRF6611TRPBF.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.25V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete de dispositivos de provedor | DIRECTFET™ MX |
| Serie | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 27A, 10V |
| Disipación de potencia (máx.) | 3.9W (Ta), 89W (Tc) |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / caso | DirectFET™ Isometric MX |
| Outros nomes | IRF6611TRPBFTR SP001531702 |
| Temperatura de operación | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 4860pF @ 15V |
| Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs | 56nC @ 4.5V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Función FET | - |
| Voltaxe da unidade (máx Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Descrición detallada | N-Channel 30V 32A (Ta), 150A (Tc) 3.9W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MX |
| Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C | 32A (Ta), 150A (Tc) |
International Rectifier (Infineon Technologies)
