| Número de peza : |
IS42S16160G-6TL |
| Fabricante / Marca : |
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| Descrición : |
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP |
| Estado de RoHs : |
Libre de plomo / RoHS |
| Cantidade dispoñible |
10372 pcs |
| Follas de cálculo |
1.IS42S16160G-6TL.pdf2.IS42S16160G-6TL.pdf |
| Tempo do ciclo de escritura: palabra, páxina |
- |
| Tensión - Subministración |
3 V ~ 3.6 V |
| Tecnoloxía |
SDRAM |
| Paquete de dispositivos de provedor |
54-TSOP II |
| Serie |
- |
| Empaquetado |
Tray |
| Paquete / caso |
54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Temperatura de operación |
0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaxe |
Surface Mount |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) |
3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria |
Volatile |
| Tamaño da memoria |
256Mb (16M x 16) |
| Interfaz de memoria |
Parallel |
| Formato de memoria |
DRAM |
| Estado libre de chumbo / estado RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
| Descrición detallada |
SDRAM Memory IC 256Mb (16M x 16) Parallel 166MHz 5.4ns 54-TSOP II |
| Frecuencia de reloxo |
166MHz |
| Tempo de acceso |
5.4ns |
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
