| Número de peza : | IS42S32160C-6BLI-TR |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
| Descrición : | IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA |
| Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
| Cantidade dispoñible | 5915 pcs |
| Follas de cálculo | 1.IS42S32160C-6BLI-TR.pdf2.IS42S32160C-6BLI-TR.pdf |
| Tempo do ciclo de escritura: palabra, páxina | - |
| Tensión - Subministración | 3 V ~ 3.6 V |
| Tecnoloxía | SDRAM |
| Paquete de dispositivos de provedor | 90-WBGA (8x13) |
| Serie | - |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / caso | 90-LFBGA |
| Temperatura de operación | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Tamaño da memoria | 512Mb (16M x 32) |
| Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | DRAM |
| Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrición detallada | SDRAM Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5.4ns 90-WBGA (8x13) |
| Frecuencia de reloxo | 166MHz |
| Tempo de acceso | 5.4ns |
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
