Número de peza : |
IS61NVP51236-200B3I |
Fabricante / Marca : |
ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.) |
Descrición : |
IC SRAM 18M PARALLEL 165TFBGA |
Estado de RoHs : |
Contén chumbo / RoHS non conforme |
Cantidade dispoñible |
5318 pcs |
Follas de cálculo |
1.IS61NVP51236-200B3I.pdf2.IS61NVP51236-200B3I.pdf |
Tempo do ciclo de escritura: palabra, páxina |
- |
Tensión - Subministración |
2.375 V ~ 2.625 V |
Tecnoloxía |
SRAM - Synchronous |
Paquete de dispositivos de provedor |
165-TFBGA (13x15) |
Serie |
- |
Empaquetado |
Tray |
Paquete / caso |
165-LFBGA |
Temperatura de operación |
-40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaxe |
Surface Mount |
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) |
3 (168 Hours) |
Tipo de memoria |
Volatile |
Tamaño da memoria |
18Mb (512K x 36) |
Interfaz de memoria |
Parallel |
Formato de memoria |
SRAM |
Estado libre de chumbo / estado RoHS |
Contains lead / RoHS non-compliant |
Descrición detallada |
SRAM - Synchronous Memory IC 18Mb (512K x 36) Parallel 200MHz 3.1ns 165-TFBGA (13x15) |
Frecuencia de reloxo |
200MHz |
Tempo de acceso |
3.1ns |