| Número de peza : | MBR600150CTR |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | GeneSiC Semiconductor |
| Descrición : | DIODE SCHOTTKY 150V 300A 2 TOWER |
| Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
| Cantidade dispoñible | 439 pcs |
| Follas de cálculo | MBR600150CTR.pdf |
| Tensión - Reenviar (Vf) (Max) @ If | 880mV @ 300A |
| Tensión: inversa continua (Vr) (máx.) | 150V |
| Paquete de dispositivos de provedor | Twin Tower |
| Velocidade | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Empaquetado | Bulk |
| Paquete / caso | Twin Tower |
| Temperatura de funcionamento: unión | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaxe | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega estándar do fabricante | 4 Weeks |
| Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo | Schottky |
| Configuración do diodo | 1 Pair Common Anode |
| Descrición detallada | Diode Array 1 Pair Common Anode Schottky 150V 300A Chassis Mount Twin Tower |
| Actual - Fuga inversa @ Vr | 3mA @ 150V |
| Actual - Rectificado medio (Io) (por diodo) | 300A |
GeneSiC Semiconductor
