| Número de peza : |
MJD112-001 |
| Fabricante / Marca : |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrición : |
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK |
| Estado de RoHs : |
Contén chumbo / RoHS non conforme |
| Cantidade dispoñible |
4332 pcs |
| Follas de cálculo |
MJD112-001.pdf |
| Voltaxe - Recollida de emisores de colectores (máx.) |
100V |
| Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic |
3V @ 40mA, 4A |
| Tipo de transistor |
NPN - Darlington |
| Paquete de dispositivos de provedor |
I-PAK |
| Serie |
- |
| Potencia - Máx |
1.75W |
| Empaquetado |
Tube |
| Paquete / caso |
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Outros nomes |
MJD112-001OS |
| Temperatura de operación |
-65°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaxe |
Through Hole |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Estado libre de chumbo / estado RoHS |
Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frecuencia - Transición |
25MHz |
| Descrición detallada |
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Through Hole I-PAK |
| DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
1000 @ 2A, 3V |
| Actual: recorte do recolector (máximo) |
20µA |
| Actual - Colector (Ic) (máximo) |
2A |
| Número de parte base |
MJD112 |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
