Benvido a www.icgogogo.com

Seleccionar idioma

  1. English
  2. 简体中文
  3. 繁体中文
  4. Deutsch
  5. Français
  6. русский
  7. 한국의
  8. español
  9. Galego
  10. Português
  11. Eesti Vabariik
  12. Беларусь
  13. íslenska
  14. polski
  15. Dansk
  16. Suomi
  17. Italia
  18. Maori
  19. Kongeriket
  20. Ελλάδα
  21. Nederland
  22. Cрпски
  23. românesc
  24. Svenska
  25. Čeština
  26. Slovenská
  27. Україна
  28. العربية
  29. Pilipino
  30. Tiếng Việt
  31. Melayu
  32. Монголулс
  33. සිංහල
  34. Indonesia
  35. हिंदी
Se o idioma que necesitas non está dispoñible, por favor " Contacta co servizo de atención ao cliente "

MJE271G

Número de peza : MJE271G
Fabricante / Marca : AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrición : TRANS PNP DARL 100V 2A TO-225
Estado de RoHs : Libre de plomo / RoHS
Cantidade dispoñible 5794 pcs
Follas de cálculo MJE271G.pdf
Voltaxe - Recollida de emisores de colectores (máx.) 100V
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic 3V @ 1.2mA, 120mA
Tipo de transistor PNP - Darlington
Paquete de dispositivos de provedor TO-225AA
Serie -
Potencia - Máx 1.5W
Empaquetado Bulk
Paquete / caso TO-225AA, TO-126-3
Outros nomes MJE271G-ND
MJE271GOS
Temperatura de operación -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaxe Through Hole
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) 1 (Unlimited)
Estado libre de chumbo / estado RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frecuencia - Transición 6MHz
Descrición detallada Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 2A 6MHz 1.5W Through Hole TO-225AA
DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1500 @ 120mA, 10V
Actual: recorte do recolector (máximo) 1mA
Actual - Colector (Ic) (máximo) 2A
MJE271G
AMI Semiconductor / ON Semiconductor AMI Semiconductor / ON Semiconductor As imaxes son só de referencia. Vexa as especificacións do produto para detalles do produto.
Compre MJE271G con confianza de {Define: Sys_Domain}, 1 ano de garantía
Envíe unha solicitude de cotización en cantidades superiores ás que se amosan.
Prezo obxectivo (USD):
Cantidade:
Total:
$US 0.00

Produtos relacionados

Proceso de entrega