Número de peza : | MURT10005R |
---|---|
Fabricante / Marca : | GeneSiC Semiconductor |
Descrición : | DIODE MODULE 50V 100A 3TOWER |
Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
Cantidade dispoñible | 554 pcs |
Follas de cálculo | 1.MURT10005R.pdf2.MURT10005R.pdf |
Tensión - Reenviar (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 50A |
Tensión: inversa continua (Vr) (máx.) | 50V |
Paquete de dispositivos de provedor | Three Tower |
Velocidade | Fast Recovery = 200mA (Io) |
Serie | - |
Tempo de recuperación inversa (trr) | 75ns |
Empaquetado | Bulk |
Paquete / caso | Three Tower |
Outros nomes | MURT10005RGN |
Temperatura de funcionamento: unión | -55°C ~ 150°C |
Tipo de montaxe | Chassis Mount |
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega estándar do fabricante | 4 Weeks |
Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Tipo de diodo | Standard |
Configuración do diodo | 1 Pair Common Anode |
Descrición detallada | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 50V 100A (DC) Chassis Mount Three Tower |
Actual - Fuga inversa @ Vr | 25µA @ 50V |
Actual - Rectificado medio (Io) (por diodo) | 100A (DC) |