| Número de peza : | MURTA200120R |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | GeneSiC Semiconductor |
| Descrición : | DIODE GEN 1.2KV 100A 3 TOWER |
| Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
| Cantidade dispoñible | 383 pcs |
| Follas de cálculo | MURTA200120R.pdf |
| Tensión - Reenviar (Vf) (Max) @ If | 2.6V @ 100A |
| Tensión: inversa continua (Vr) (máx.) | 1200V |
| Paquete de dispositivos de provedor | Three Tower |
| Velocidade | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Serie | - |
| Empaquetado | Bulk |
| Paquete / caso | Three Tower |
| Temperatura de funcionamento: unión | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montaxe | Chassis Mount |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega estándar do fabricante | 4 Weeks |
| Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo | Standard |
| Configuración do diodo | 1 Pair Common Anode |
| Descrición detallada | Diode Array 1 Pair Common Anode Standard 1200V 100A Chassis Mount Three Tower |
| Actual - Fuga inversa @ Vr | 25µA @ 1200V |
| Actual - Rectificado medio (Io) (por diodo) | 100A |
GeneSiC Semiconductor
