| Número de peza : | NTD5865N-1G |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrición : | MOSFET N-CH 60V 43A DPAK |
| Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
| Cantidade dispoñible | 4566 pcs |
| Follas de cálculo | NTD5865N-1G.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete de dispositivos de provedor | DPAK |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 20A, 10V |
| Disipación de potencia (máx.) | 71W (Tc) |
| Empaquetado | Tube |
| Paquete / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes | NTD5865N-1G-ND NTD5865N-1GOS |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1261pF @ 25V |
| Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs | 23nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Función FET | - |
| Voltaxe da unidade (máx Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Descrición detallada | N-Channel 60V 43A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C | 43A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
