| Número de peza : | NTF6P02T3G |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrición : | MOSFET P-CH 20V 10A SOT223 |
| Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
| Cantidade dispoñible | 90013 pcs |
| Follas de cálculo | NTF6P02T3G.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete de dispositivos de provedor | SOT-223 |
| Serie | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 6A, 4.5V |
| Disipación de potencia (máx.) | 8.3W (Ta) |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / caso | TO-261-4, TO-261AA |
| Outros nomes | NTF6P02T3GOS NTF6P02T3GOS-ND NTF6P02T3GOSTR |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega estándar do fabricante | 17 Weeks |
| Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1200pF @ 16V |
| Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs | 20nC @ 4.5V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Función FET | - |
| Voltaxe da unidade (máx Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Descrición detallada | P-Channel 20V 10A (Ta) 8.3W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C | 10A (Ta) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
