| Número de peza : | NVMFS6H800NT1G |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrición : | TRENCH 8 80V NFET |
| Estado de RoHs : | |
| Cantidade dispoñible | 21340 pcs |
| Follas de cálculo | NVMFS6H800NT1G.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 330µA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete de dispositivos de provedor | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Serie | Automotive, AEC-Q101 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1 mOhm @ 50A, 10V |
| Disipación de potencia (máx.) | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / caso | 8-PowerTDFN, 5 Leads |
| Outros nomes | NVMFS6H800NT1G-ND NVMFS6H800NT1GOSTR |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega estándar do fabricante | 42 Weeks |
| Estado libre de plomo | Lead free |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 5530pF @ 40V |
| Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs | 85nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Función FET | - |
| Voltaxe da unidade (máx Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
| Descrición detallada | N-Channel 80V 28A (Ta), 203A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
| Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C | 28A (Ta), 203A (Tc) |
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
