| Número de peza : |
RB098BM100FHTL |
| Fabricante / Marca : |
LAPIS Semiconductor |
| Descrición : |
SCHOTTKY BARRIER DIODE |
| Estado de RoHs : |
Libre de plomo / RoHS |
| Cantidade dispoñible |
83680 pcs |
| Follas de cálculo |
1.RB098BM100FHTL.pdf2.RB098BM100FHTL.pdf |
| Tensión - Reenviar (Vf) (Max) @ If |
770mV @ 3A |
| Tensión: inversa continua (Vr) (máx.) |
100V |
| Paquete de dispositivos de provedor |
TO-252 |
| Velocidade |
Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie |
Automotive, AEC-Q101 |
| Tempo de recuperación inversa (trr) |
11.4ns |
| Empaquetado |
Tape & Reel (TR) |
| Paquete / caso |
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes |
RB098BM100FHTLTR |
| Temperatura de funcionamento: unión |
150°C (Max) |
| Tipo de montaxe |
Surface Mount |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) |
1 (Unlimited) |
| Estado libre de chumbo / estado RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
| Tipo de diodo |
Schottky |
| Configuración do diodo |
1 Pair Common Cathode |
| Descrición detallada |
Diode Array 1 Pair Common Cathode Schottky 100V 6A Surface Mount TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Actual - Fuga inversa @ Vr |
3µA @ 100V |
| Actual - Rectificado medio (Io) (por diodo) |
6A |
LAPIS Semiconductor
