Número de peza : | RN1969FE(TE85L,F) |
---|---|
Fabricante / Marca : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Descrición : | TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6 |
Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
Cantidade dispoñible | 4255 pcs |
Follas de cálculo | RN1969FE(TE85L,F).pdf |
Voltaxe - Recollida de emisores de colectores (máx.) | 50V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Tipo de transistor | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Paquete de dispositivos de provedor | ES6 |
Serie | - |
Resistor - Base de emisión (R2) | 22 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Potencia - Máx | 100mW |
Empaquetado | Original-Reel® |
Paquete / caso | SOT-563, SOT-666 |
Outros nomes | RN1969FE(TE85LF)DKR |
Tipo de montaxe | Surface Mount |
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Descrición detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount ES6 |
DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 70 @ 10mA, 5V |
Actual: recorte do recolector (máximo) | 100nA (ICBO) |
Actual - Colector (Ic) (máximo) | 100mA |