Número de peza : | RN2318(TE85L,F) |
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Fabricante / Marca : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Descrición : | TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM |
Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
Cantidade dispoñible | 1306212 pcs |
Follas de cálculo | RN2318(TE85L,F).pdf |
Voltaxe - Recollida de emisores de colectores (máx.) | 50V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Tipo de transistor | PNP - Pre-Biased |
Paquete de dispositivos de provedor | USM |
Serie | - |
Resistor - Base de emisión (R2) | 10 kOhms |
Resistor - Base (R1) | 47 kOhms |
Potencia - Máx | 100mW |
Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
Paquete / caso | SC-70, SOT-323 |
Outros nomes | RN2318(TE85LF) RN2318(TE85LF)-ND RN2318(TE85LF)TR RN2318TE85LF |
Tipo de montaxe | Surface Mount |
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Tempo de entrega estándar do fabricante | 16 Weeks |
Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frecuencia - Transición | 200MHz |
Descrición detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM |
DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 50 @ 10mA, 5V |
Actual: recorte do recolector (máximo) | 500nA |
Actual - Colector (Ic) (máximo) | 100mA |
Número de parte base | RN231* |