Número de peza : | RN2710JE(TE85L,F) |
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Fabricante / Marca : | Toshiba Semiconductor and Storage |
Descrición : | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ESV |
Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
Cantidade dispoñible | 329674 pcs |
Follas de cálculo | RN2710JE(TE85L,F).pdf |
Voltaxe - Recollida de emisores de colectores (máx.) | 50V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Tipo de transistor | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) |
Paquete de dispositivos de provedor | ESV |
Serie | - |
Resistor - Base de emisión (R2) | - |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Potencia - Máx | 100mW |
Empaquetado | Cut Tape (CT) |
Paquete / caso | SOT-553 |
Outros nomes | RN2710JE(TE85LF)CT |
Tipo de montaxe | Surface Mount |
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Frecuencia - Transición | 200MHz |
Descrición detallada | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled) 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount ESV |
DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Actual: recorte do recolector (máximo) | 100nA (ICBO) |
Actual - Colector (Ic) (máximo) | 100mA |