Número de peza : |
RN4608(TE85L,F) |
Fabricante / Marca : |
Toshiba Semiconductor and Storage |
Descrición : |
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SM6 |
Estado de RoHs : |
Libre de plomo / RoHS |
Cantidade dispoñible |
312954 pcs |
Follas de cálculo |
RN4608(TE85L,F).pdf |
Voltaxe - Recollida de emisores de colectores (máx.) |
50V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic |
300mV @ 250µA, 5mA |
Tipo de transistor |
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Paquete de dispositivos de provedor |
SM6 |
Serie |
- |
Resistor - Base de emisión (R2) |
47 kOhms |
Resistor - Base (R1) |
22 kOhms |
Potencia - Máx |
300mW |
Empaquetado |
Cut Tape (CT) |
Paquete / caso |
SC-74, SOT-457 |
Outros nomes |
RN4608(TE85LF)CT |
Tipo de montaxe |
Surface Mount |
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) |
1 (Unlimited) |
Estado libre de chumbo / estado RoHS |
Lead free / RoHS Compliant |
Frecuencia - Transición |
200MHz |
Descrición detallada |
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6 |
DC Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce |
80 @ 10mA, 5V |
Actual: recorte do recolector (máximo) |
100nA (ICBO) |
Actual - Colector (Ic) (máximo) |
100mA |