| Número de peza : | SI8435DB-T1-E1 |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrición : | MOSFET P-CH 20V 10A 2X2 4-MFP |
| Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
| Cantidade dispoñible | 5280 pcs |
| Follas de cálculo | SI8435DB-T1-E1.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±5V |
| Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete de dispositivos de provedor | 4-Microfoot |
| Serie | TrenchFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Disipación de potencia (máx.) | 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / caso | 4-XFBGA, CSPBGA |
| Outros nomes | SI8435DB-T1-E1TR |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 10V |
| Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs | 35nC @ 5V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Función FET | - |
| Voltaxe da unidade (máx Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
| Descrición detallada | P-Channel 20V 10A (Tc) 2.78W (Ta), 6.25W (Tc) Surface Mount 4-Microfoot |
| Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C | 10A (Tc) |
Electro-Films (EFI) / Vishay
