| Número de peza : | TJ30S06M3L(T6L1,NQ |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrición : | MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3 |
| Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
| Cantidade dispoñible | 43346 pcs |
| Follas de cálculo | 1.TJ30S06M3L(T6L1,NQ.pdf2.TJ30S06M3L(T6L1,NQ.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
| Vgs (Max) | +10V, -20V |
| Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete de dispositivos de provedor | DPAK+ |
| Serie | U-MOSVI |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 21.8 mOhm @ 15A, 10V |
| Disipación de potencia (máx.) | 68W (Tc) |
| Empaquetado | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Outros nomes | TJ30S06M3L(T6L1NQ TJ30S06M3LT6L1NQ |
| Temperatura de operación | 175°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 3950pF @ 10V |
| Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs | 80nC @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel |
| Función FET | - |
| Voltaxe da unidade (máx Rds On, Min Rds On) | 6V, 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Descrición detallada | P-Channel 60V 30A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount DPAK+ |
| Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C | 30A (Ta) |
