| Número de peza : | TK72E12N1,S1X |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrición : | MOSFET N CH 120V 72A TO-220 |
| Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
| Cantidade dispoñible | 13561 pcs |
| Follas de cálculo | TK72E12N1,S1X.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete de dispositivos de provedor | TO-220-3 |
| Serie | U-MOSVIII-H |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 36A, 10V |
| Disipación de potencia (máx.) | 255W (Tc) |
| Empaquetado | Tube |
| Paquete / caso | TO-220-3 |
| Outros nomes | TK72E12N1,S1X(S TK72E12N1S1X |
| Temperatura de operación | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Through Hole |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 8100pF @ 60V |
| Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs | 130nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Función FET | - |
| Voltaxe da unidade (máx Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
| Descrición detallada | N-Channel 120V 72A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220-3 |
| Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C | 72A (Ta) |
Toshiba Semiconductor and Storage
