| Número de peza : | W9412G6JH-4 |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | Winbond Electronics Corporation |
| Descrición : | IC DRAM 128M PARALLEL 66TSOP II |
| Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
| Cantidade dispoñible | 4391 pcs |
| Follas de cálculo | W9412G6JH-4.pdf |
| Tempo do ciclo de escritura: palabra, páxina | 12ns |
| Tensión - Subministración | 2.4 V ~ 2.7 V |
| Tecnoloxía | SDRAM - DDR |
| Paquete de dispositivos de provedor | 66-TSOP II |
| Serie | - |
| Empaquetado | Tray |
| Paquete / caso | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Temperatura de operación | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Tipo de montaxe | Surface Mount |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria | Volatile |
| Tamaño da memoria | 128Mb (8M x 16) |
| Interfaz de memoria | Parallel |
| Formato de memoria | DRAM |
| Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Descrición detallada | SDRAM - DDR Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 250MHz 48ns 66-TSOP II |
| Frecuencia de reloxo | 250MHz |
| Tempo de acceso | 48ns |
Winbond Electronics Corporation
