| Número de peza : | FQPF3N80CYDTU |
|---|---|
| Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
| Descrición : | MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F |
| Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
| Cantidade dispoñible | 5994 pcs |
| Follas de cálculo | FQPF3N80CYDTU.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete de dispositivos de provedor | TO-220F-3 (Y-Forming) |
| Serie | QFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V |
| Disipación de potencia (máx.) | 39W (Tc) |
| Empaquetado | Tube |
| Paquete / caso | TO-220-3 Full Pack, Formed Leads |
| Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaxe | Through Hole |
| Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 705pF @ 25V |
| Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs | 16.5nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel |
| Función FET | - |
| Voltaxe da unidade (máx Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Descrición detallada | N-Channel 800V 3A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming) |
| Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C | 3A (Tc) |
