Número de peza : | FQPF3P50 |
---|---|
Fabricante / Marca : | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Descrición : | MOSFET P-CH 500V 1.9A TO-220F |
Estado de RoHs : | Libre de plomo / RoHS |
Cantidade dispoñible | 5827 pcs |
Follas de cálculo | FQPF3P50.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±30V |
Tecnoloxía | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete de dispositivos de provedor | TO-220F |
Serie | QFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 Ohm @ 950mA, 10V |
Disipación de potencia (máx.) | 39W (Tc) |
Empaquetado | Tube |
Paquete / caso | TO-220-3 Full Pack |
Temperatura de operación | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaxe | Through Hole |
Nivel de sensibilidade á humidade (MSL) | 1 (Unlimited) |
Estado libre de chumbo / estado RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 25V |
Carga por portelo (Qg) (máximo) @ Vgs | 23nC @ 10V |
Tipo FET | P-Channel |
Función FET | - |
Voltaxe da unidade (máx Rds On, Min Rds On) | 10V |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Descrición detallada | P-Channel 500V 1.9A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F |
Corrente - Drenaxe continua (Id) a 25 ° C | 1.9A (Tc) |